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真空鍍膜

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真空鍍膜廠加工的物理過程和工藝流程


發布時間:2019-05-20 14:42:24
真空鍍膜的物理過程
PVD(物理氣相沉積技術)的基本原理可分為三個工藝步驟:
(1)    鍍料的氣化:即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源
(2)   鍍料粒子((原子、分子或離子)的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞,産生多種反應。

(3)   鍍料粒子在基片表面的沉積

真空鍍膜

薄膜的形成順序為:具有一定能量的原子被吸附→形成小原子團→臨界核→小島→大島→島結合→溝道薄膜→連續薄膜。因此薄膜的形成過程可分為四個階段;臨界核的形成;島的形成、長大與結合;溝道薄膜的形成和連續膜的形成。
真空鍍膜的工藝流程
真空鍍膜的工藝流程一般依次為:前處理及化學清洗(表面打磨抛光噴砂,除鏽除油去氧化層)→工件在真空中烘烤加熱→氩離子輝光清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜(通入反應氣體)→後處理(爐内鈍化或出爐後鈍化去應力或防止變色,過UV做防指膜處理等)。
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